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最新シリコンデバイスと結晶技術 -先端LSIが要求するウエーハ技術の現状-
福田 哲生/松川 和人/三浦 英生/小椋 厚志/津屋 英樹/佐藤 俊哉/渡辺 正晴/原田 博文/林 健郎/泉妻 宏治/末岡 浩治/中居 克彦/佐藤 信彦/吉見 信/柿崎 恵男/松村 篤樹/高田 清司/今井 正人/林 信行/柿本 浩一/鹿島 一日兒/守矢 一男/中嶋 健次/磯貝 宏道/戸田 昭夫/清水 博文/池田 和子/高田 清司/福田 哲生
MOSデバイスエピタキシャルウェーハ
岸野 正剛/金田 寛/羽深 等/橋本 正幸/星野 甲子夫/太田 豊/山本 秀和/酒井 勲美/村中 雅也/田中 研一/浅山 英一/定光 信介/竹野 博/清水 博文/八掛 保夫/小飯塚 正明/原 徹/吉田 知佐/島貫 康/津屋 英樹
シリコン結晶・ウェーハ技術の課題―大口径化,平坦化
岸野 正剛/山部 紀久夫/杉浦 順/千川 圭吾/篠山 誠二/堀岡 佑吉/阿部 孝夫/高須 新一郎/滝口 蓮一/永井 秀幸/増田 健二/鈴木 誉也/清水 博文/津屋 英樹/大橋 弘通/堀江 浩/原 明人/井上 靖朗/岸野 正剛